密度：4,787 g/cm3
熔点：1070°C
储存条件：库房通风低温干燥

RTECS号：NL1800000
安全说明：S24/25
WGK Germany：3
危险品运输编码：3288

生产方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。2.取化学计量的铟和红磷封入石英管中，反应温度在700℃经350～400h，可制得InP,收率为94%～95%。3.用铟和比化学计算量略多的Zn3P2按合成AlP相同的方法，在700～800℃下加热1～2日则可制得磷化铟。本法收率低。产物用稀盐酸处理就可以得到纯的InP。4.由卤素反应系统制取的方法。在高真空中，加热650℃以上，使InP升华。欲制得纯的InP，要使用过量的In。

用途

用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要 1～ 6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。