生产方法
制备金刚石薄膜常用的方法是气相沉积法,该方法可分以下3种类型。 (1)热化学气相沉积(TCVD)法 在高温下使含碳气相组分发生热分解即形成金刚石薄膜。这一方法在早期的制备过程中是比较成功的方法,目前采用很多的热丝法(EFCVD)以及对于沉积速率有着独特优越性的热化学焰法均属于此类。 (2)物理化学气相沉积法 用物理化学方法促进CVD过程,例如等离子增强CVD(PECVD或PACVD)、微波等离子体CVD(MWCVD)、射频等离子体CVD(RFPECVD)和直流等离子体CVD(DCPECVD)及电子增强CVD(EACVD)等。 (3)物理气相沉积法 即用物理方法(蒸发、溅射、离子束等)直接从碳源获取碳原子或碳离子,将含碳气体转变为气态活性碳原子,定向沉积在物体表面并沉积生成一层致密、均匀、光滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是利用高能离子在基材表面的微区内形成75000℃和压强12×109Pa的热尖峰,其持续时间为10-21s,从而促进金刚石膜的形成。沉积工艺需在高能态、高真空条件下,严格控制电磁场能量,精确掌握含碳化合物的原材料配比和浓度,以及反应沉积速率。

用途

用于金属、塑料、玻璃等材料表面生成金刚石膜。如半导体及半导体器件热沉电阻、电绝缘层。